特許

J-GLOBAL ID：201803021048432878

半導体装置、及び半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-251483
公開番号（公開出願番号）：特開2017-098563
特許番号：特許第6310050号
出願日： 2016年12月26日
公開日（公表日）： 2017年06月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 酸化物半導体膜と、 ゲート電極と、 前記酸化物半導体膜と、前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜と、 前記ゲート電極の側面の、第1の絶縁膜と、 前記ゲート電極の上面の、第2の絶縁膜と、を有し、 前記第1の絶縁膜は、第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜の外側の第4の絶縁膜とを有し、 前記第3の絶縁膜の酸素濃度は、前記第4の絶縁膜の酸素濃度よりも高く、 前記第3の絶縁膜は、前記第4の絶縁膜よりも、前記酸化物半導体膜に近い領域を有し、 前記第2の絶縁膜の端部は、前記ゲート電極の端部と一致する領域を有し、 前記第2の絶縁膜は、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、又は酸化窒化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 27/10 371 ,  H01L 27/108 671 Z ,  H01L 27/108 321 ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/50 M ,  C23C 14/08 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-022501   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-075473   出願人：株式会社液晶先端技術開発センター
• 表示装置、表示装置の製造方法及びSOI基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-072639   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-277272   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所