単結晶成長装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：志賀正武 , 鈴木三義 , 荒則彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-209266
公開番号（公開出願番号）：特開2018-070393
出願日： 2016年10月26日
公開日（公表日）： 2018年05月10日
要約：

【課題】生産効率を高めることができる単結晶成長装置の提供。【解決手段】(1)自公転する複数の坩堝10と、複数の坩堝10を囲繞する加熱手段20と、を備え、複数の坩堝10は、夫々内部に単結晶設置部と原料収容部とを有する結晶成長空間を形成している単結晶成長装置102。(2)複数の坩堝10を囲繞するコイル21と、複数の坩堝10とコイル21の間に配設された発熱体40と、を備える加熱手段。(3)複数の坩堝10の公転軸C1を中心とした円環状に配設されている発熱体40。(4)複数の坩堝10の公転軸C1に起立する第2発熱体40。(5)夫々の坩堝10の自転軸C2と、複数の坩堝10の公転軸C1と、の距離が等しい単結晶成長装置102。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

自公転する複数の坩堝と、前記複数の坩堝を囲繞する加熱手段と、を備え、前記複数の坩堝は、それぞれ内部に単結晶設置部と原料収容部とを有する結晶成長空間を形成している、単結晶成長装置。

IPC (4件)：

C30B 23/06 , C30B 29/36 , F27B 14/10 , F27B 14/14

FI (4件)：

C30B23/06 , C30B29/36 A , F27B14/10 , F27B14/14

Fターム (17件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077DA18 , 4G077EG01 , 4G077EG18 , 4G077HA12 , 4G077SA01 , 4G077SA04 , 4G077SA11 , 4G077SA12 , 4K046AA01 , 4K046AA02 , 4K046BA05 , 4K046CA01 , 4K046CD02 , 4K046CD03

引用特許：

審査官引用 (4件)

炭化珪素単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-086032 出願人：株式会社デンソー, トヨタ自動車株式会社
窒化物結晶製造方法および窒化物結晶製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-045433 出願人：パナソニック株式会社
特開昭51-066498

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