特許

J-GLOBAL ID：201103001055095760

窒化物結晶製造方法および窒化物結晶製造装置

発明者： 山本 武克 ,  峯本 尚 ,  畑山 健 ,  山崎 大蔵
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-045433
公開番号（公開出願番号）：特開2011-178626
出願日： 2010年03月02日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

【課題】本発明は、窒化物結晶製造方法と窒化物結晶製造装置に関するもので、結晶の品質向上を目的とするものである。【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、準備工程と、その後の結晶育成工程とを有し、前記準備工程は、種基板と、結晶原料である金属ガリウムとナトリウムと、を坩堝に収納するとした第1の工程と、前記結晶育成工程は、前記坩堝を結晶成長容器内に配置し、この結晶成長容器を炉心管内に配置した状態で、この炉心管を加熱手段により所定の温度で加熱し、前記坩堝を原料ガス供給手段により所定の気圧の窒素雰囲気下にした状態で、前記種基板上に結晶を育成するとした第2の工程と、を設けた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

準備工程と、その後の結晶育成工程とを有し、 前記準備工程は、種基板と、結晶材料とアルカリ金属またはアルカリ土類金属を、坩堝に収納するとした第1の工程と、 前記結晶育成工程は、前記坩堝を結晶成長容器内に配置し、この結晶成長容器を炉心管内に配置した状態で、この炉心管を加熱手段により所定の温度で加熱し、前記坩堝を原料ガス供給手段により所定の気圧の窒素雰囲気下にした状態で、前記種基板上に結晶を育成するとした第2の工程と、を備えた窒化物結晶製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/02

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B19/02

Fターム (25件)：

4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077CG01 ,  4G077CG06 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EC08 ,  4G077EC09 ,  4G077ED01 ,  4G077ED04 ,  4G077EG01 ,  4G077EG05 ,  4G077EG18 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA34 ,  4G077QA56 ,  4G077QA62 ,  4G077QA71

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物単結晶の育成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-080653   出願人：日本碍子株式会社, 国立大学法人大阪大学
• III族窒化物の結晶成長方法及びIII族窒化物結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-062537   出願人：株式会社リコー