特許
J-GLOBAL ID：201803021307432660
SiC単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 関根 宣夫
, 河野上 正晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-199126
公開番号（公開出願番号）：特開2018-058741
出願日： 2016年10月07日
公開日（公表日）： 2018年04月12日
要約：
【課題】転位及び欠陥が少なくかつ口径拡大率の大きいSiC単結晶の製造方法を提供。【解決手段】内部から表面に向けて低下する温度勾配を有するSi-C溶液に、種結晶保持軸に保持されたSiC種結晶を接触させ、種結晶は、溶液の表面に平行に配置される下面と、種結晶保持軸に保持される上面と、上面と下面の間の側面と、を有し、種結晶の下面が、(0001)面又は(000-1)面であり、円形状の少なくとも一部に除去部を有し、かつ、外周に円弧形状部を有する形状であり、除去部の数が、1又は複数で、除去部の形状が、円形状の円弧上の2点を結ぶ弦に沿って除去された、劣弧又は半円周を有する弓形で、円形状の中心と1つの除去部の円弧上の2点とが成す中心角が40°以上で、除去部の中心角の合計が180°以下で、種結晶と溶液との間にメニスカスを形成し、種結晶の下面からSiC単結晶を成長させること、を含む、SiC単結晶の製造方法。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液に、種結晶保持軸に保持されたSiC種結晶を接触させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法において、
前記種結晶は、前記Si-C溶液の表面に平行に配置される下面と、前記種結晶保持軸に保持される上面と、前記上面と前記下面の間の側面と、を有し、
前記種結晶の下面が、(0001)面又は(000-1)面であり、
前記種結晶の下面の形状が、円形状の少なくとも一部に除去部を有する形状で、かつ、外周に円弧形状部を有する形状であり、
前記除去部の数が、1又は複数であり、
前記除去部の形状は、前記円形状の円弧上の2点を結ぶ弦に沿って除去された、劣弧又は半円周を有する弓形であり、
前記円形状の中心と1つの前記除去部の前記円弧上の2点とが成す中心角が40°以上であり、
前記除去部の前記中心角の合計が180°以下であり、
前記種結晶と前記Si-C溶液との間にメニスカスを形成して、前記種結晶の前記下面から前記SiC単結晶を成長させること、を含む、
SiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CG02
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077EH08
, 4G077HA12
, 4G077QA04
, 4G077QA77
, 4G077QA79
