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J-GLOBAL ID：201902004922407546   整理番号：19S2656999

Amphoteric property of electrically active nickel in silicon

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著者 (3件)：
Kitagawa, Hajime

Kitagawa, Hajime について

(Department of Electronic Materials Engineering, Fukuoka Institute of Technology)

Department of Electronic Materials Engineering, Fukuoka Institute of Technology について

, 
Nakashima, Hiroshi

Nakashima, Hiroshi について

(Department of Electronic Materials Engineering, Fukuoka Institute of Technology)

Department of Electronic Materials Engineering, Fukuoka Institute of Technology について

, 
Nakashima, Hiroshi

Nakashima, Hiroshi について

(Department of Electrical Engineering, Kyushu University)

Department of Electrical Engineering, Kyushu University について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics

Japanese Journal of Applied Physics について


巻： 28  号： 3 R  ページ： 305-310  発行年： 1989年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0021-4922 
言語： 英語 (EN)

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