文献

J-GLOBAL ID：201902120315698086   整理番号：19S2345685

Extremely flat interfaces in gaas/algaas quantum wells grown on gaas (411)a substrates by molecular beam epitaxy

著者 (9件)： Shimomura, Satoshi (Osaka University) ,  Wakejima, Akio (Osaka University) ,  Hiyamizu, Satoshi (Osaka University) ,  Hiyamizu, Satoshi (Research Center for Extreme Materials, Osaka University) ,  Adachi, Akira (Research and Development Division, Nissin Electric Co., Ltd.) ,  Okamoto, Yasunori (Research and Headquarters Kubota Corporation) ,  Sano, Naokatsu (Kwansei Gakuin University) ,  Murase, Kazuo (Osaka University) ,  Murase, Kazuo (Research Center for Extreme Materials, Osaka University)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics
巻： 32  号： 12 A  ページ： L1728-L1731  発行年： 1993年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0021-4922 
言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaAs ,  AlGaAs