High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AIN/Si heterostructure

Jiao, Sai; Murakami, Yuya; Nagasawa, Hiroyoki; Fukidome, Hirokazu; Fukidome, Hirokazu; Suemitsu, Maki; Suemitsu, Maki; Tateno, Yasunori; Nakabayashi, Takashi; Makabe, Isao

文献

J-GLOBAL ID：201902200934979298 整理番号：19S0394157

High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AIN/Si heterostructure

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著者 (10件)：

Jiao, Sai

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(Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University)

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Murakami, Yuya

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Nagasawa, Hiroyoki

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Fukidome, Hirokazu

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Fukidome, Hirokazu

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Suemitsu, Maki

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Suemitsu, Maki

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(CREST, Japan Science and Technology Agency)

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Tateno, Yasunori

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Nakabayashi, Takashi

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(Sumitomo Electric Industries. Ltd)

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Makabe, Isao

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資料名：

Materials Science Forum

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巻： 806 ページ： 89-93 発行年： 2015年
JST資料番号： SCOPUS ISSN： 0255-5476 ISBN： 9783038352945 CODEN： MSFOE
発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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Si について

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