IDEF-X HDBD:半導体検出器を用いた分光イメージングのための低雑音ASIC【JST・京大機械翻訳】

Baudin D.; Altenmuller K.; Bausson P-A.; Coppolani X.; Gevin O.; Limousin O.; Maier D.; Meuris A.; Passeron C.

文献

J-GLOBAL ID：201902210188171394 整理番号：19A2176072

IDEF-X HDBD:半導体検出器を用いた分光イメージングのための低雑音ASIC【JST・京大機械翻訳】

IDeF-X HDBD:low-noise ASIC for Spectro-imaging with semiconductor detectors

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資料名：
巻： 2018 号： NSS/MIC ページ： 1-2 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

IDeF-X HDBDは半導体検出器の読み出し専用の集積回路の新しいバージョンである。それは,-40から40fCまでの範囲の電荷を読み出すために設計された32チャネル応用スペクトル集積回路である。この回路を小検出器容量(<1pF)と低漏れ電流(<1nA)に対して最適化した。チップにより,等価雑音チャージフロア(ENC)が17elsに達することが可能になった。それは自己トリガ能力を持ち,多重タイプの読み出しチャネル,選択チャネルまたはすべてのチャネルを可能にする。各チャネルは,CR-RC2フィルタによるスケール化された電荷敏感増幅器フォロワと,最初の到着電荷のみを記憶することを可能にするパイルアップ拒絶システムを有するピーク検出器に基づいている。各チャネルは850μWの電力消費を持つ。利得と成形時間は調整可能である。この回路は,放射線軽減技術により設計され,300kradまでの線量と,空間応用に適した65MeV.cm2/mgの単一イベントラッチアップ(SEL)閾値を扱うことを可能にした。このASICは,画像分光応用のための例として,Cadmium TellurideまたはSilicon検出器のいずれかを読み出すことができる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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図形・画像処理一般 , 放射線検出・検出器 , フィルタ一般 , 信号理論

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