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J-GLOBAL ID：201902210344904144   整理番号：19A0938379

GaSb/GaAs量子ドットの異方性に及ぼす圧力の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Reaction Pressure Onmorphology Anisotropy of GaSb/GaAs Quantum Dots

著者 (5件)： Xu Deqian (集成光電子学国家重点実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012) ,  Xu Jiaxin (集成光電子学国家重点実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012) ,  Zhuang Shiwei (集成光電子学国家重点実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012) ,  Li Guoxing (集成光電子学国家重点実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012) ,  Zhang Baolin (集成光電子学国家重点実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 40  号： 1  ページ： 17-22  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GaAs(001)基板上のGaSb量子ドットを低圧金属有機化学蒸着(LP-MOCVD)により調製し,GaSb/GaAs量子ドットの異方性に及ぼす反応室圧力の影響を調べた。Sb表面処理法により、GaAs基板上に低表面エネルギーのSb-Sb浮遊層を形成させ、界面不整合(IMF)成長モードによるGaSb量子ドット誘導成長を実現した。原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、各サンプルの量子ドット形態を特性評価し、結果は、GaSb量子ドットの形態異方性が顕著で[110]方向に沿って引っ張ることを示した。圧力が10kPaの時、IMF成長モードは非対称アイランドのアスペクト比が3より大きいため、低エネルギー(111)側面の存在により、GaSb量子ドットは[110]方向に沿って成長し、それより垂直な[110]方向を優先しない。量子ドットの密度は8.3×109cm-2に増大し,量子ドットのモルフォロジーは対称の半球形に変わり,アスペクト比は約1であった。低い圧力は,吸着原子の拡散活性化エネルギーを減少し,拡散長を増大し,GaSb量子ドットの異方性を効果的に改善することができた。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  *量子ドット ,  *アンチモン化ガリウム ,  *アンチモン ,  原子間力顕微鏡 ,  基板 ,  *異方性 ,  不整合 ,  *ヒ化ガリウム ,  アスペクト比 ,  MOCVD ,  表面エネルギー ,  モルフォロジー ,  対称性 ,  界面

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaSb ,  GaAs ,  量子ドット ,  異方性