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J-GLOBAL ID:201902210371268371   整理番号:19A1414422

120Kまでの温度でのInAs/GaAs量子ドットの歪結合二重層からの1.3μm単一光子放出【JST・京大機械翻訳】

1.3 μm single-photon emission from strain-coupled bilayer of InAs/GaAs quantum dots at the temperature up to 120 K
著者 (7件):
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巻: 111  号: 18  ページ: 182102-182102-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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液体窒素の温度または120Kの高い温度でマイクロピラーBragg共振器に埋め込まれたInAs量子ドット(QD)の自己集合歪結合二分子層に基づく1.3μm単一光子放出について報告した。収集光学の第一レンズへの得られた単一光子束は,82と120Kでそれぞれ4.2×10~6と3.3×10~6/sであり,0.27(2)と0.28(3)のゼロ遅延時間で二次相関関数に対応した。本研究では,QD発光のマイクロピラー空洞関連増強の顕著な効果について報告し,液体窒素またはより高い温度においてテレコムバンド単一光子エミッタを用いる機会を実証した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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発光素子  ,  半導体のルミネセンス 

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