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J-GLOBAL ID：201902210442784142   整理番号：19A1918044

絶縁性アルカンチオラート薄膜に強固に結合した高秩序化半導性アントラセン単分子層の形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of Highly Ordered Semiconducting Anthracene Monolayer Rigidly Connected to Insulating Alkanethiolate Thin Film

著者 (11件)： Eguchi Toyoaki (Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, ERATO, Japan Science and Technology Agency (JST), Kawasaki, Japan) ,  Eguchi Toyoaki (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University) ,  Hirata Naoyuki (Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, ERATO, Japan Science and Technology Agency (JST), Kawasaki, Japan) ,  Hirata Naoyuki (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University) ,  Shibuta Masahiro (Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, ERATO, Japan Science and Technology Agency (JST), Kawasaki, Japan) ,  Shibuta Masahiro (Keio Institute of Pure and Applied Science (KiPAS), Keio University) ,  Tsunoyama Hironori (Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, ERATO, Japan Science and Technology Agency (JST), Kawasaki, Japan) ,  Tsunoyama Hironori (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University) ,  Nakajima Atsushi (Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, ERATO, Japan Science and Technology Agency (JST), Kawasaki, Japan) ,  Nakajima Atsushi (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University) ,  Nakajima Atsushi (Keio Institute of Pure and Applied Science (KiPAS), Keio University)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 122  号： 45  ページ： 26080-26087  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au(111)上のアントラセン置換アルカンチオールの自己集合単分子層(SAM)の形成と分子構造を走査型トンネル顕微鏡と赤外反射吸収分光法により調べた。空気中での湿式化学プロセスにより,密に充填された「立ち上がり」分子からなる清浄で秩序化されたSAMが形成され,続いて真空中での熱アニーリングが行われる。SAMにおいて,アントラセン部分はバルク状面内ヘリングボーン構造に配置され,室温以上で結晶秩序化を維持し,アントラセン-アルカンチオールにより結合したAuナノクラスタにおけるより少ない秩序化と対照的である。さらに,アントラセン二量体の六方晶系配列がSAMの表面上に見出された。これらの構造は400Kでのアニーリング後も残った。表面で行った走査トンネル分光法は,バルクアントラセンのバンドギャップと同様に,約3.6eVのエネルギーギャップを示した。上記の結果は,高度に秩序化した半導性アントラセン単分子層が絶縁性アルカンチオール薄膜上に形成され,界面を横切る強い化学結合により高い熱安定性を有することを示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ロバスト性 ,  化学結合 ,  焼なまし ,  界面 ,  ナノクラスタ ,  分子構造 ,  *単分子層 ,  結晶 ,  *半導性 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  金 ,  熱安定性 ,  バンドギャップ ,  ポリアセン
準シソーラス用語： アルカンチオール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固-液界面  (CB12050B)

物質索引 (1件)： アントラセン

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁性 ,  薄膜 ,  秩序化 ,  半導性 ,  アントラセン ,  単分子層