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J-GLOBAL ID:201902210592732941   整理番号:19A1409609

ラジカル増強原子層堆積により合成したCoFe_2O_4薄膜の磁気特性【JST・京大機械翻訳】

Magnetic Properties of CoFe2O4 Thin Films Synthesized by Radical-Enhanced Atomic Layer Deposition
著者 (4件):
資料名:
巻:号: 42  ページ: 36980-36988  発行年: 2017年10月25日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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フェリ磁性CoFe_2O_4薄膜を成長させるために,ラジカル増強原子層蒸着(RE-ALD)プロセスを開発した。ビス-(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト)コバルト-(II), トリス-(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタジナト鉄(III)および原子状酸素を金属および酸化源として用いて,それぞれ非晶質および化学量論CoFe_2O_4膜を200°CでSrTiO_3(001)基板上に堆積した。CoFe_2O_4に対して得られたRE-ALD成長速度は~2.4Å/スーパーサイクルで,熱活性化ALDプロセスに対して報告された値よりも著しく高かった。X線回折と透過型電子顕微鏡による微細構造特性化は,450と750°Cの間でアニールしたCoFe_2O_4膜がエピタキシャル界面層を有する組織化多結晶であることを示し,磁気特性の歪媒介同調を可能にした。膜厚とアニーリング温度の関数として磁気挙動を調べた。飽和磁化(M_s)は260から550emu/cm3の範囲で,保磁力(H_c)は0.2から2.2kOeの範囲であった。より薄い試料では磁気異方性の増強が達成されたが,より高い温度でのアニーリング後には全体的な磁気強度は改善された。RE-ALD CoFe_2O_4薄膜は,約7nmの厚さの他の堆積法で成長させたバルク結晶と膜の両方に匹敵する磁気特性を示し,大規模な処理適合性を有する高品質磁性酸化物の合成のためのRE-ALDの可能性を実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
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強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  金属結晶の磁性  ,  酸化物結晶の磁性  ,  電気化学反応  ,  塩基,金属酸化物 
タイトルに関連する用語 (5件):
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