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J-GLOBAL ID：201902211260428960   整理番号：19A1607171

SiO_2/SiC界面特性化のための微分可変ベース電荷ポンピング(δ-CP)【JST・京大機械翻訳】

Differential Variable Base Charge Pumping ($Δ-¥text{CP}$) for SiO₂/SiC Interface Characterization

著者 (5件)： Moens P. (ON Semiconductor, Oudenaarde, B-9700, Belgium) ,  Constant A. (ON Semiconductor, Oudenaarde, B-9700, Belgium) ,  Stockman A. (Gent University, Gent, B-9052, Belgium) ,  Franchi J. (ON Semiconductor, Kista, SE-16440, Sweden) ,  Allerstam F. (ON Semiconductor, Kista, SE-16440, Sweden)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ISPSD  ページ： 163-166  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,SiC/SiO_2界面における界面状態(D_it)に関する情報を抽出するために,微分電荷ポンピング(Δ-CP)と名付けた電気的評価技術を提案した。本技術は,(1)D_itの物理的位置に関する情報を得ることを可能にした。(2)バンドギャップにおけるD_のエネルギー広がり;(3)D_がドナーまたはアクセプタ型である場合。最初の結果は,「S/D」領域とチャネル領域の両方から全体のCP信号への寄与を示した。驚くべきことに,全体のCP信号に対するトランジスタの「S/D」領域のかなりの寄与が観測された。チャネル領域ではドナーとアクセプタ型の両方の状態が同定され,大部分はアクセプタ型である。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *炭化ケイ素 ,  トランジスタ ,  表面準位 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  バンドギャップ ,  *微分
準シソーラス用語： 評価技術 ,  *チャージポンプ回路 ,  *界面特性 ,  *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  界面特性 ,  微分 ,  可変 ,  電荷ポンピング ,  CP