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J-GLOBAL ID：201902212045912226   整理番号：19A1936369

低漏れSRAMビットセルの設計【JST・京大機械翻訳】

Design of Low Leakage SRAM Bitcell

著者 (6件)： Safaryan Karo (Synopsys Armenia Educational Department, Chair of Microelectronic Circuits and Systems National Polytechnic University of Armenia, Yerevan, Armenia) ,  Bazikyan Mher (Synopsys Armenia Educational Department, Chair of Microelectronic Circuits and Systems National Polytechnic University of Armenia, Yerevan, Armenia) ,  Aslikyan Fadey (Synopsys Armenia Educational Department, Chair of Microelectronic Circuits and Systems National Polytechnic University of Armenia, Yerevan, Armenia) ,  Harutyunyan Stepan (Synopsys Armenia Educational Department, Chair of Microelectronic Circuits and Systems National Polytechnic University of Armenia, Yerevan, Armenia) ,  Hakobyan Garik (Synopsys Armenia Educational Department, Chair of Microelectronic Circuits and Systems National Polytechnic University of Armenia, Yerevan, Armenia) ,  Petrosyan Artur (Synopsys Armenia Educational Department, Chair of Microelectronic Circuits and Systems National Polytechnic University of Armenia, Yerevan, Armenia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ELNANO  ページ： 245-248  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSスケーリングは,サブ閾値漏れ,ゲート漏れおよびデバイス変動成長漏れ電流に影響を及ぼす。静的ランダムアクセスメモリ(SRAM)セルは,集積回路(IC)の大部分の分野に従事している。それは,SRAMにおける重要なキー因子になるFinFETビットセルを実装した。さらに,ダイオード接続NMOS/PMOSトランジスタを用いて8T SRAMセルを実装し,漏れ電流を低減した。提案した回路における漏れ低減のために異なるアプローチを用いた。その結果,SRAMビットセルにおける漏れ電力は減少し,より良い性能を発揮した。提案したSRAMビットセルは6T SRAMビットセル上で約3倍の漏れ電力の改善を示した。提案したSRAMビットセルの読出しとライトアクセス時間は約18%増加した。電力も約10%減少した。漏れ低減の提案された技術は,FinFET SRAMのためのSynopsys Armenia教育部門のSAED14nm技術を使用することによって実装された。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力 ,  漏れ電流 ,  RAM【メモリ】 ,  *SRAM ,  CMOS ,  照明 ,  集積回路 ,  NMOS構造 ,  ダイオード ,  呼出時間 ,  教育
準シソーラス用語： 読出し ,  漏れ電力 ,  FinFET ,  サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 漏れ ,  SRAM ,  ビット ,  セル ,  設計