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J-GLOBAL ID：201902212097445214   整理番号：19A0029057

PECVDと熱SiO_2の特性に関する成長堆積法の特徴【JST・京大機械翻訳】

Signature of growth deposition technique on the properties of PECVD and thermal SiO₂

著者 (5件)： Majee Subimal (CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute (CEERI), Pilani 333031, Rajasthan, India) ,  Barshilia Devesh (CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute (CEERI), Pilani 333031, Rajasthan, India) ,  Kumar Sanjeev (CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute (CEERI), Pilani 333031, Rajasthan, India) ,  Mishra Prabhash (Nano-Science Center, Jamia Millia Islamia, New Delhi, 110025, India) ,  Akhtar Jamil (CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute (CEERI), Pilani 333031, Rajasthan, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1989  号： 1  ページ： 020023-020023-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,PECVD蒸着および熱成長二酸化ケイ素(SiO_2)薄膜の特性におけるプロセス誘起変化を報告した。二つの方法で得られたSiO_2薄膜の気孔率,ナノ細孔の配列,表面粗さ,屈折率および電気抵抗率の重要な違いを見出した。ナノ多孔性構造の発生は材料の固有の性質であり,膜成長または堆積のプロセスに依存しないが,酸化膜中のこれらのナノ細孔の配列はプロセス依存性である。ナノ細孔の明確な配列は堆積/成長過程の特徴である。熱酸化により成長させた酸化物とPECVD堆積により成長させた酸化物の間の違いを実証するために形態解析を行った。金属充填ナノ多孔質酸化物の調整可能な導電性挙動も実証され,種々の応用における導電性酸化物として使用される可能性がある。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 屈折率 ,  二酸化ケイ素 ,  電気抵抗率 ,  熱酸化 ,  表面粗さ ,  *プラズマCVD ,  導電性 ,  蒸着 ,  酸化物 ,  薄膜成長 ,  薄膜 ,  酸化膜 ,  空隙率
準シソーラス用語： ナノ細孔 ,  *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： PECVD ,  成長 ,  堆積