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J-GLOBAL ID：201902212097887774   整理番号：19A2092993

III-V半導体ナノワイヤにおける電荷閉込め機構【JST・京大機械翻訳】

Charge confining mechanisms in III-V semiconductor nanowire

著者 (10件)： Marquardt Oliver (Weierstras&-Institut fuer Angewandte Analysis und Stochastik, Berlin, 10117, Germany) ,  Corfdir P. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Berlin, 10117, Germany) ,  Lahnemann J. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Berlin, 10117, Germany) ,  Ramsteiner M. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Berlin, 10117, Germany) ,  Brandt O. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Berlin, 10117, Germany) ,  Geelhaar L. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Berlin, 10117, Germany) ,  Hill M. O. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University, Evanston, Illinois, 60208, USA) ,  Lauhon L. J. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University, Evanston, Illinois, 60208, USA) ,  Hassan A. Al (Naturwissenschaftlich-Technische Fakultaet, Universitaet Siegen, Siegen, 57068, Germany) ,  Pietsch U. (Naturwissenschaftlich-Technische Fakultaet, Universitaet Siegen, Siegen, 57068, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： NUSOD  ページ： 19-20  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V半導体ナノワイヤは,新しいオプトエレクトロニクスデバイスへの応用のためのユニークな特徴を示す。それらの大きな表面対体積比のために,Siベースのエレクトロニクスにまだ集積できる平面成長の能力を超えたヘテロ構造の実現が可能になる。さらに,異なる結晶相が同じナノワイヤに共存するようなGaAsナノワイヤにおいて多形性が観察された。異なる結晶相が異なる電子的性質を有するので,この特徴は原子的に平坦な界面を持つ結晶相ヘテロ構造を形成し,非常に小さな弾性変形のみを形成するために利用できる。このようなナノワイヤにおける電子構造シミュレーションの特異性を議論し,最近の事例研究を示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 事例研究 ,  ケイ素 ,  シミュレーション ,  *ナノワイヤ ,  ヒ化ガリウム ,  電子技術 ,  界面 ,  弾性変形 ,  *電荷 ,  電子構造
準シソーラス用語： 特異性 ,  結晶相 ,  ヘテロ構造 ,  光電子デバイス ,  *半導体ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： III-V半導体 ,  ナノワイヤ ,  電荷 ,  閉込め