文献

J-GLOBAL ID：201902212870265972   整理番号：19A1415701

新しいフッ素源FeF_3を用いたT_c=55KのSmFeAs(O,F)膜の分子ビームエピタクシー成長【JST・京大機械翻訳】

Molecular beam epitaxy growth of SmFeAs(O,F) films with T_c = 55 K using the new fluorine source FeF₃

著者 (4件)： Sakoda Masahito (Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan) ,  Ishii Akihiro (Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan) ,  Takinaka Kenji (Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan) ,  Naito Michio (Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 1  ページ： 015306-015306-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： REFeAs(O,F)(RE:希土類元素)は鉄系超伝導体の中で最も高いT_c(~58K)を有するが,REFeAs(O,F)の薄膜成長は困難である。これは,それが5つの元素から成る複雑な化合物であるだけでなく,超伝導を達成するために非常に反応性の高いフッ素のドーピングを必要とするからである。著者らの以前の論文において,フッ素がFeF_2またはSmF_3のような固体フッ化物を昇華することによって膜に供給できることを報告した。本論文では,代替フッ素源としてFeF_3を用いたSmFeAs(O,F)の成長について報告する。FEF_3は室温で固体であり,100~200°Cの低い温度で分解し,熱分解中にフッ素含有ガスを放出する。この代替フッ素源を用いて,55Kの高いT_cをもつSmFeAs(O,F)膜を成長させた。この達成により,FeF_3はフッ素源としての可能性を有し,フッ素含有化合物の薄膜成長に広く利用できることを実証した。FeF_3に特異的な一つの問題は,化合物が高度に水性であり,その無水形においてさえかなりの量の水を含むことである。本論文では,この特定の問題を克服する方法について述べた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *フッ素 ,  薄膜成長 ,  超伝導 ,  *MBE成長 ,  鉄系超伝導体 ,  ドーピング ,  反応性 ,  フッ素化合物 ,  熱分解 ,  フッ化物

分類 (4件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (2件)： フッ素 ,  分子ビームエピタクシー成長