文献

J-GLOBAL ID：201902213057563081   整理番号：19A0953802

NiAs型構造を持つc面配向Mn₅₀(Te_50-xSb_x)エピタキシャル薄膜の構造と磁性

Structure and Magnetism of c-plane Oriented Mn₅₀(Te_50-xSb_x) Epitaxial Thin Films with NiAs-type Structure

著者 (5件)： Ashizawa Y. (Dept. of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University) ,  Ashizawa Y. (Present address: College of Science and Technology, Nihon University) ,  Saito S. (Dept. of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University) ,  Tsunoda M. (Dept. of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University) ,  Takahashi M. (Dept. of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University)
資料名： Journal of the Magnetics Society of Japan (Web)  (Journal of the Magnetics Society of Japan (Web))
巻： 43  号： 2  ページ： 21-24(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U0776A  ISSN： 1882-2932  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NiAs型Mn₅₀(Te_50-xSb_x)擬単結晶膜に対する構造,磁性,およびそれらの相関を,SbをTeで置換して,最も近いMn-Mn距離を変化させることにより研究した。主な結果は以下の通りであった。第一に,c面配向Mn₅₀(Te_50-xSb_x)擬単結晶膜を,c面配向NiAs型MnTe下地層を用いて,0から16までの範囲と33から51までの範囲のSb組成で調製した。第二に,Mn₅₀(Te_50-xSb_x)膜の格子定数aは0≦x≦38において約4.17Åでほぼ一定であり,x≧38においてxが増加すると4.13Åまで徐々に減少した。0≦x≦16では格子定数cは6.68から6.61Åへの緩やかな勾配で減少し,x≧23では5.78Åまで徐々に減少した。結果として,d_Mn-Mnは3.34Åから2.89Åに変化した。3番目に,5Kでの飽和磁気モーメントm_Sは,xが0≦x≦11と33≦x≦51で増加するにつれて,異なる勾配で直線的に増加した。最後に,Bloch則AにおけるT^3/2の係数は,x≦16でxが増加すると急速に減少し,16≦x≦51においてxが減少すると徐々に増加した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マンガン化合物 ,  *ヒ化物 ,  *アンチモン化物 ,  *磁性薄膜 ,  置換型原子 ,  エピタクシー ,  核間距離 ,  *単結晶 ,  *化学組成 ,  *格子定数 ,  *磁気モーメント ,  配向
準シソーラス用語： Bloch則 ,  c面配向 ,  *擬単結晶 ,  飽和磁気モーメント

著者キーワード (10件)： NiAs型構造 ,  Mn-Mn距離 ,  エピタキシャル成長 ,  MnTe ,  MnSb ,  NiAs型構造 ,  Mn-Mn距離 ,  エピタキシャル成長 ,  MnTe ,  MnSb

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

引用文献 (11件)：

• 1) T. Okita and Y. Makino: J. Phys. Soc. Jpn., 25, 120 (1968).
• 2) Y. Ashizawa, S. Saito, and M. Takahashi: J. Appl. Phys., 91, 8240 (2002).
• 3) S. Saito, Y. Ashizawa, H. Shoji, and M. Takahashi: J. Magn. Soc. Jpn., 25, 855 (2001) [in Japanese].
• 4) N. Kunitomi, Y. Hamaguchi, and S. Anzai: J. Phys., 25, 568 (1964).
• 5) I. Oftedal: Z. Phys. Chem., 128, 135 (1927) [in German].

タイトルに関連する用語 (4件)： 配向 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  磁性