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J-GLOBAL ID：201902213426813030   整理番号：19A0610729

高感度電子線ホログラフィーによるGaN系半導体のドーパント濃度分布の観察

Observation of Dopant Concentration in GaN Semiconductor by High Sensitivity Electron Holography

著者 (11件)： 仲野靖孝 (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  松本実子 (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  穴田智史 (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  山本和生 (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  石川由加里 (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  平山司 (一般財団法人ファインセラミックスセンター) ,  安藤悠人 (名古屋大学) ,  小倉昌也 (名古屋大学) ,  田中敦之 (名古屋大学) ,  本田善央 (名古屋大学) ,  天野浩 (名古屋大学)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 58  号： 2  ページ： 103(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・窒化ガリウム(GaN)の特性を支配するドーパントの濃度分布を高感度電子線ホログラフィーを用いて観察した事例を紹介。
・観察を行なったサンプルはn-GaN基板上に5×10¹⁶~4×10¹⁹(atoms/cm³)ドーパント濃度を段階的に変化させた構造をもつもので,このサンプルについてのホログラム再生位相像が濃度分布に対応する位相変化を示すことを確認。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ドーパント ,  *濃度分布 ,  *ホログラフィー ,  画像
準シソーラス用語： 位相画像 ,  *電子線ホログラフィー

著者キーワード (4件)： TEM ,  electron holography ,  nitride semiconductor ,  GaN

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  粒子光学一般  (BD02010J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高感度 ,  電子線ホログラフィー ,  GaN ,  ドーパント ,  濃度分布 ,  観察