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J-GLOBAL ID：201902213966576007   整理番号：19A0887707

多結晶HfO_2表面近傍における酸素空格子点フィラメントの反復可能で再現可能な形成/破壊【JST・京大機械翻訳】

Repeatable and reproducible formation/rupture of oxygen vacancy filaments in the vicinity of a polycrystalline HfO₂ surface

著者 (6件)： Hida Sota (Faculty of Science, Tokyo University of Science, Nijuku 6-3-1, Katsushika, Tokyo 125-8585, Japan) ,  Morita Takumi (Faculty of Science, Tokyo University of Science, Nijuku 6-3-1, Katsushika, Tokyo 125-8585, Japan) ,  Yamasaki Takahiro (National Institute for Materials Science, Namiki 1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Nara Jun (National Institute for Materials Science, Namiki 1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Ohno Takahisa (National Institute for Materials Science, Namiki 1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Kinoshita Kentaro (Faculty of Science, Tokyo University of Science, Nijuku 6-3-1, Katsushika, Tokyo 125-8585, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 9  号： 3  ページ： 035309-035309-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1000Kの温度で第一原理分子動力学シミュレーションを実行することにより,酸素空格子点(Vo)の動力学とそれらの電荷状態の変化の効果を理論的に調べた。(110)表面とバルク単結晶をもつHfO_2の二つの構造について計算を行った。著者らの研究は,Voの電荷状態が中性(V_O~0)から2価(V_O2+)に変化したとき,Voはスラブとバルク構造の両方において互いに反発し,分散することを明らかにした。対照的に,Voの電荷状態がV_O2+からV_O~0に変化したとき,Voは互いに引き付けられ,スラブ構造においてのみそれらの元の位置を再開した。したがって,V_Oフィラメントの反復可能で再現性のある形成/破裂が結晶表面近傍で起こり,バルク結晶の対称性が破れる。この結果は,抵抗ランダムアクセスメモリの抵抗スイッチングが単結晶金属酸化物よりも多結晶金属酸化物において発達することを示す実験結果と一致した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 対称性 ,  *多結晶 ,  再現性 ,  金属酸化物 ,  単結晶 ,  第一原理 ,  *フィラメント
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  ReRAM ,  バルク結晶 ,  結晶表面 ,  中性 ,  荷電状態 ,  分子動力学シミュレーション ,  *酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  磁電デバイス  (NC03100X) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多結晶 ,  近傍 ,  酸素空格子点 ,  フィラメント ,  反復 ,  破壊