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J-GLOBAL ID：201902214205166335   整理番号：19A1064167

液体エチルシクロペンタジエニルインジウムとH2OとO_2プラズマの組合せを用いた化学量論的In_2O_3膜の原子層堆積【JST・京大機械翻訳】

Atomic layer deposition of stoichiometric In₂O₃ films using liquid ethylcyclopentadienyl indium and combinations of H₂O and O₂ plasma

著者 (4件)： Mizutani Fumikazu (Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd., 5-1-28 Chiyoda, Sakado, Saitama 350-0284, Japan) ,  Higashi Shintaro (Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd., 5-1-28 Chiyoda, Sakado, Saitama 350-0284, Japan) ,  Inoue Mari (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Nabatame Toshihide (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 9  号： 4  ページ： 045019-045019-7  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液体エチルcyclopentadiニルインジウム(InEtCp)を合成し,この化合物は比較的高い蒸気圧と250°Cまでの熱安定性を含む優れた特性を示した。2O_3薄膜を,前駆体としてInEtCpを用いて原子層堆積(ALD)により蒸着し,O_2プラズマ(WPO),O_2(WO),O_2プラズマ単独(pO),O_2プラズマ,続いてH2O(POW)を用いた。pOとPOWプロセスを用いたIn_2O_3薄膜の成長速度はWOとWPOプロセスを用いたものよりはるかに小さかった。InEtCp,H2O,およびO_2プラズマのパルス時間が200°Cの成長温度で,それぞれ0.1,2.0,および14sであるとき,WPO過程の間の自己制限表面反応が核形成の遅れなしで観察された。WOおよびWPOプロセスに対して,In_2O_3膜は,O-In-OH*中間生成物の存在または不在下での酸化または欠如により,全く異なる機構により形成されると考えられる。これはALDプロセスにおける酸化段階中のO_2ガスとO_2プラズマの酸化強度の違いによるものである。結果として,WPOにより堆積したIn_2O_3薄膜は,化学量論的O/In比1.5と,約1ppm以下のTOF-SIMS検出限界周辺の無視できるほど低い残留炭素濃度で得られた。したがって,InEtCpは,高品質In_2O_3膜を形成する有望な候補前駆体の一つである。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *化学量論 ,  成長速度 ,  酸化 ,  核形成 ,  残留炭素 ,  *プラズマ ,  前駆体 ,  表面反応 ,  反応中間体 ,  熱安定性 ,  薄膜 ,  検出限界 ,  蒸気圧 ,  パルス
準シソーラス用語： TOF-SIMS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： H2O ,  プラズマ ,  組合せ ,  原子層堆積