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J-GLOBAL ID：201902214358920123   整理番号：19A1414850

シリコン基板上の高アスペクト比ナノスケール穴におけるGaNのエピタクシー【JST・京大機械翻訳】

Epitaxy of GaN in high aspect ratio nanoscale holes over silicon substrate

著者 (7件)： Wang Kejia (Institute of Microelectronics and Nanoelectronics, Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Wang Anqi (Institute of Microelectronics and Nanoelectronics, Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Ji Qingbin (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Microscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Hu Xiaodong (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Microscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Xie Yahong (Department of Materials Science and Engineering, University of California Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA) ,  Sun Ying (Institute of Microelectronics and Nanoelectronics, Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Cheng Zhiyuan (Institute of Microelectronics and Nanoelectronics, Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 25  ページ： 252101-252101-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パターン化ナノスケール孔を通したエピタキシャル成長による窒化ガリウム(GaN)の転位フィルタリングを研究した。有機金属化学蒸着により極端に高いアスペクト比の正孔から成長させたGaNを透過型電子顕微鏡と高分解能透過型電子顕微鏡により調べた。この選択的領域エピタキシャル成長法は,エピタクシー面積の減少と正孔の幅比の増加により,正孔内の転位の効果的なフィルタリングをもたらし,GaNの品質を著しく改善する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フィルタリング ,  *アスペクト比 ,  電子顕微鏡観察 ,  MOCVD ,  透過型電子顕微鏡 ,  *窒化ガリウム ,  *エピタクシー ,  品質 ,  パターン形成 ,  正孔
準シソーラス用語： HRTEM ,  *ナノスケール ,  *高アスペクト比 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン基板 ,  高アスペクト比 ,  ナノスケール ,  GaN ,  エピタクシー