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J-GLOBAL ID：201902214497821236   整理番号：19A0660334

金属支援化学エッチングによる損傷のない平滑側壁InGaAs nanopillarアレイ【JST・京大機械翻訳】

Damage-Free Smooth-Sidewall InGaAs Nanopillar Array by Metal-Assisted Chemical Etching

著者 (12件)： Kong Lingyu (Department of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Laboratory, Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, United States) ,  Kong Lingyu (NUS Graduate School for Integrative Sciences and Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Kong Lingyu (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Kong Lingyu (Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), Singapore) ,  Song Yi (Department of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Laboratory, Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, United States) ,  Kim Jeong Dong (Department of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Laboratory, Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, United States) ,  Yu Lan (Department of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Laboratory, Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, United States) ,  Wasserman Daniel (Department of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Laboratory, Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, United States) ,  Chim Wai Kin (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Chiam Sing Yang (Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), Singapore) ,  Li Xiuling (Department of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Laboratory, Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, United States) ,  Li Xiuling (International Institute for Carbon-Neutral Energy Research (I2CNER), Kyushu University, Japan)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 10  ページ： 10193-10205  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面損傷のない密に充填された高アスペクト比In_0.53Ga_0.47Asナノ構造の作製は,Si-CMOSナノ電子およびオプトエレクトロニクス素子を超えるために重要である。しかし,従来の乾式エッチング法は,固有の高エネルギーイオン駆動プロセスのため,III-V化合物半導体に不可逆的損傷を生じることが知られている。本研究では,ポストMacEtchディジタルエッチング平滑化と組み合わせた損傷のない金属支援化学エッチング(MacEtch)技術を用いて,200nmの直径を有する規則化,均一,配列ベースのIn_0.53Ga_0.47Asピラーの実現を実証した。In_xGa_1-xAsのエッチング機構を,エッチング条件とインジウム組成の関数として,ピラー形態と多孔性のキャラクタリゼーションを通して探究した。高バンドギャップ半導体(例えば,SiまたはGaAs)と対照的にIn_0.53Ga_0.47Asのエッチング挙動は,障壁高さが低いために,質量輸送制限領域において常にエッチング機構を決定するSchottky障壁高さモデルにより解釈できる。本研究のより広い影響は,MacEtchの一般的な副産物である表面粗さまたは多孔性関連欠陥の完全な除去に関連している。非処理平面とMacEtchedピラーIn_0.53Ga_0.47As金属-酸化物-半導体キャパシタの中間ギャップ界面状態密度とフラットバンド容量ヒステリシスのサイドバイサイド比較により,得られたピラーの表面がエッチング前に滑らかで無欠陥であることを確認した。ディジタルエッチングと組み合わせたMacEtchは,三次元トランジスタと高効率赤外光検出器を含むIn_0.53Ga_0.47Aに基づくデバイスの大量生産を可能にする高品質In_0.53Ga_0.47Asナノ構造の形成のための簡単,室温,低コストの方法を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  ヒステリシス ,  ナノ構造 ,  キャラクタリゼーション ,  多孔性 ,  三次元 ,  バンドギャップ ,  酸化物 ,  ドライエッチング ,  多孔質体 ,  光検出器 ,  *ヒ化ガリウム ,  半導体 ,  コンデンサ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  ケイ素

著者キーワード (7件)： In_0.53Ga_0.47As ,  金属支援化学エッチング ,  Macetch ,  多孔質シェル ,  Schottky障壁高さ ,  デジタルエッチング ,  MOSCAPS

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 金属支援化学エッチング ,  損傷 ,  側壁 ,  InGaAs ,  アレイ