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J-GLOBAL ID：201902214660544299   整理番号：19A0660494

近接結合によるグラフェン中の光スピントロニクス【JST・京大機械翻訳】

Optospintronics in Graphene via Proximity Coupling

著者 (8件)： Avsar Ahmet (Electrical Engineering Institute and Institute of Materials Science and Engineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Unuchek Dmitrii (Electrical Engineering Institute and Institute of Materials Science and Engineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Liu Jiawei (Centre for Advanced 2D Materials, National University of Singapore, Singapore) ,  Sanchez Oriol Lopez (Electrical Engineering Institute and Institute of Materials Science and Engineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland) ,  Watanabe Kenji (National Institute for Materials Science, Japan) ,  Taniguchi Takashi (National Institute for Materials Science, Japan) ,  Oezyilmaz Barbaros (Centre for Advanced 2D Materials, National University of Singapore, Singapore) ,  Kis Andras (Electrical Engineering Institute and Institute of Materials Science and Engineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Switzerland)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 11  ページ： 11678-11686  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロメータサイズのスピン緩和の観察は,グラフェンを長距離スピン通信を必要とするスピントロニクスにおける応用のための有望な材料にする。しかし,接触/グラフェン界面におけるスピン依存散乱はスピン注入効率に影響を及ぼし,従って材料を完全なポテンシャルを達成するのを妨げる。この主要な問題は,非破壊直接光スピン注入法により除去できるが,グラフェンの本質的に低いスピン-軌道結合強度と光吸収は,それらの実現に障害を生じる。グラフェンとWSe_2単分子層の間に鋭い人工界面を形成することにより,この挑戦を克服した。円偏光の応用により,スピン結合原子価選択吸収により,WSe_2層のスピン分極電荷キャリアを活性化した。これらのキャリアは,3.5μmの距離にわたって輸送され,非局所幾何学においてCo/h-BN接触を用いて最終的に電気的に検出される。偏光依存測定により,非局所信号のスピン起源を確認した。また,グラフェンが反転対称性が回復する二層WSe_2に接触すると,このような信号は存在しないことを実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 円偏光 ,  *グラフェン ,  単分子層 ,  光吸収 ,  界面 ,  散乱 ,  幾何学 ,  スピン分極 ,  原子価 ,  マイクロメータ ,  偏光 ,  *スピントロニクス
準シソーラス用語： 二層 ,  スピン注入 ,  スピン緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二次元材料 ,  スピントロニクス ,  Valleytronics ,  スピン注入 ,  グラフェン

分類 (3件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェン ,  スピントロニクス