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J-GLOBAL ID：201902214730423205   整理番号：19A1410252

高性能多層MOS_2電界効果トランジスタの安定性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improving the Stability of High-Performance Multilayer MoS₂ Field-Effect Transistors

著者 (9件)： Liu Na (School of Advanced Materials Science & Engineering, Sungkyunkwan University, Republic of Korea) ,  Baek Jongyeol (School of Advanced Materials Science & Engineering, Sungkyunkwan University, Republic of Korea) ,  Kim Seung Min (Institute of Advanced Composite Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Republic of Korea) ,  Hong Seongin (School of Advanced Materials Science & Engineering, Sungkyunkwan University, Republic of Korea) ,  Hong Young Ki (School of Advanced Materials Science & Engineering, Sungkyunkwan University, Republic of Korea) ,  Kim Yang Soo (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Republic of Korea) ,  Kim Hyun-Suk (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Republic of Korea) ,  Kim Sunkook (School of Advanced Materials Science & Engineering, Sungkyunkwan University, Republic of Korea) ,  Park Jozeph (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Republic of Korea)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 49  ページ： 42943-42950  発行年： 2017年12月13日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,バルクMoS_2FETの高性能を維持しながら,O_2プラズマ処理とAl_2O_3不動態化により多層MoS_2電界効果トランジスタ(FET)の安定性を改善する方法を提案した。MoS_2FETをAl_2O_3カプセル化前に30秒間O_2プラズマに曝露し,比較的小さなヒステリシスと高い電気性能を達成した。プラズマ処理中に形成されたMoO_x層がMoS_2と上部不動態化層の間に見出された。MoO_x中間層は,Al_2O_3不動態化により,チャネル中の過剰電子キャリアの発生を防止し,それにより,閾値電圧(V_th)のシフトとオフ電流漏れの増加を最小化した。しかし,O_2プラズマ(90と120s)へのMoS_2表面の長時間曝露は,MoO_x中間層に過剰酸素を導入し,より顕著なヒステリシスと高いオフ電流をもたらすことが分かった。安定なMoS_2 FETも異なる条件下でゲートバイアス応力試験を行った。MoS_2トランジスタは正のバイアス応力,正のバイアス照射応力,負のバイアス応力下では無視できるほどの性能低下を示したが,V_thの大きな負のシフトが負のバイアス照射応力下で観測され,これは硫黄空孔の存在に起因した。この簡単なアプローチは,それらのFET特性と信頼性を理解するために他の遷移金属ジカルコゲナイド材料に適用することができ,結果としての高性能ヒステリシスのないMoS_2トランジスタは,洗練された電子応用の開発のための新しい機会を開くことが期待される。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： チャネル ,  プラズマ処理 ,  バイアス ,  硫黄 ,  ヒステリシス ,  プラズマ ,  *多層 ,  空格子点 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *トランジスタ ,  不動態化
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  オフ電流 ,  閾値電圧 ,  中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  電界効果トランジスタ ,  ヒステリシス ,  O_2プラズマ処理 ,  パッシベーション

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高性能 ,  多層 ,  電界効果トランジスタ ,  安定性