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J-GLOBAL ID：201902215525985817   整理番号：19A1414304

シリコン量子井戸金属-酸化物-半導体トランジスタにおける単一の大きさを超える正および負利得【JST・京大機械翻訳】

Positive and negative gain exceeding unity magnitude in silicon quantum well metal-oxide-semiconductor transistors

著者 (6件)： Hu Gangyi (Department of Physics, University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Wijesinghe Udumbara (Department of Physics, University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Naquin Clint (Texas Instruments Inc., Dallas, Texas 75243, USA) ,  Maggio Ken (Texas Instruments Inc., Dallas, Texas 75243, USA) ,  Edwards H. L. (Texas Instruments Inc., Dallas, Texas 75243, USA) ,  Lee Mark (Department of Physics, University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 15  ページ： 153503-153503-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si量子井戸(QW)nチャネル金属-酸化物-半導体(NMOS)トランジスタに関する固有利得(A_V)測定は,これらの素子が室温での量子輸送負相互コンダクタンス(NTC)動作において|A_V|>1を有することを示した。ゲート下の伝導チャネルにおける横QWを定義するために,イオン注入ポテンシャル障壁を組み込んだ工業的45nm技術ノードプロセスを用いて,QW NMOSデバイスを作製した。ゲート制御QW束縛状態を通しての輸送から生じる室温でのNTCは以前に確立されたが,量子NTC機構が1を超える利得の大きさを支持できるかどうかは不明であった。Bias条件は,室温で|A_V|>1で正と負のA_Vの両方を与えることがわかった。この結果は,QW NMOSデバイスが増幅器および発振器応用において有用であることを意味する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： NMOS構造 ,  *酸化物 ,  増幅器 ,  相互コンダクタンス ,  ポテンシャル障壁 ,  束縛状態 ,  *量子井戸 ,  *トランジスタ ,  *利得 ,  発振器 ,  チャネル ,  *半導体 ,  イオン注入
準シソーラス用語： ゲート制御 ,  量子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  量子井戸 ,  酸化物 ,  トランジスタ ,  利得