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J-GLOBAL ID:201902216601211908   整理番号:19A1414853

GaMnAs強磁性半導体における電流誘起スピン-軌道有効磁場の決定【JST・京大機械翻訳】

Determination of current-induced spin-orbit effective magnetic field in GaMnAs ferromagnetic semiconductor
著者 (11件):
資料名:
巻: 111  号: 25  ページ: 252401-252401-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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強磁性GaMnAs膜の電流誘起スピン-軌道(SO)場の強度を正確に決定する方法を報告した。印加磁場として正と負の電流で測定された平面Hall抵抗(PHR)の間のヒステリシスの形でSO場はそれ自身を示し,一定の磁場強度で試料面で回転される。SO場の強度に関連するヒステリシスの幅は,回転外部磁場強度の異なる値に対して著しく変化することが観察された。与えられた電流で生じるSO場は結晶の固有の性質であるので,ヒステリシスの磁場依存性は,単一場強度で測定されたヒステリシスの幅がSO場の決定に不十分であることを示す。しかし,本論文で開発した磁気異方性とSO場の効果を含む磁気自由エネルギーに基づくモデルを用いて,与えられた電流密度に対するSO場は,異なる印加磁場強度で測定したPHRの遷移角の実験的に観測された依存性に適合することにより正確に確立できることを示した。温度に対するGaMnAsの磁気異方性の既知の依存性を用いて,この方法が温度の変化により確実に適用できることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物結晶の磁性 
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