文献
J-GLOBAL ID:201902216615356129   整理番号:19A1415819

イットリウムドープZnOナノ粒子による電子注入変調による量子ドット発光ダイオードの性能改善【JST・京大機械翻訳】

Improved performance of quantum dot light emitting diode by modulating electron injection with yttrium-doped ZnO nanoparticles
著者 (8件):
資料名:
巻: 122  号: 13  ページ: 135501-135501-9  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
典型的な発光ダイオード(QD-LED)において,ZnOナノ粒子(NP)を電子輸送層(ETL)材料として用いると,QDとこの酸化物層の間の整合伝導帯最大(CBM)により駆動される過剰電子注入は通常電荷不均衡を引き起こし,素子性能を劣化させる。この問題を解決するために,ZnO NPsの電子構造をイットリウム(Y)ドーピング法により修飾した。ZnO NPsのCBMはYドーピング濃度に強く依存し,Yドーピング量が0%から9.6%に増加すると3.55から2.77eVに調整できることを実証した。このCBMの変化は,陰極とこのZnO ETLの間の障壁を電子注入の変調から生じる。QD-LEDにおける電荷バランスを達成するために低Yドープ(2%)ZnOの使用による電子注入を最適化することにより,素子性能は最大輝度,ピーク電流効率,最大外部量子効率はそれぞれ4918cd/m2,11.3cd/A,及び4.5%から11,171cd/m2,18.3cd/A,7.3%まで著しく改善された。ETL改質に基づくこの容易な戦略は,QD-LED性能を促進する方法論を強化する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
発光素子 

前のページに戻る