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J-GLOBAL ID：201902216779802220   整理番号：19A2011587

急速熱アニーリング後のB+注入シリコンの包括的キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Comprehensive Characterization of B⁺ Implanted Silicon after Rapid Thermal Annealing

著者 (4件)： Yoo Woo Sik (WaferMasters, Inc., Dublin, CA, 94568, USA) ,  Gon Kim Jung (WaferMasters, Inc., Dublin, CA, 94568, USA) ,  Ishigaki Toshikazu (WaferMasters, Inc., Dublin, CA, 94568, USA) ,  Kang Kitaek (WaferMasters, Inc., Dublin, CA, 94568, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IWJT  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低い接合漏れと欠陥を有する高い完全性接合の形成は,高度なノードデバイスを有する高性能デバイスを作製するために不可欠である。アニーリング過程段階でのインプラント活性化とインプラント損傷回復機構の理解は限られている。非接触インプラント活性化と残留損傷モニタリング技術の開発は有益である。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  完全性 ,  接合 ,  *RTA【熱処理】 ,  *焼なまし
準シソーラス用語： 非接触 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 急速熱アニーリング ,  注入 ,  シリコン ,  キャラクタリゼーション