文献

J-GLOBAL ID：201902217263009170   整理番号：19A1887602

低Biasの下での分子破断接合の電位変化,電荷分布,電圧降下,バンドラインアップ,および透過スペクトルの研究【JST・京大機械翻訳】

Study of Potential Change, Charge Distribution, Voltage Drop, Band Lineup, and Transmission Spectrum of Molecular Break Junction Under Low Bias

著者 (2件)： Kole Abhisek (Centre for Micro-/Nano-electronics (NOVITAS), School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Radhakrishnan K. (Centre for Micro-/Nano-electronics (NOVITAS), School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 23  ページ： 12903-12910  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度関数理論(DFT)を用いて,非平衡Green関数(NEGF)法と組み合わせて,DNA検出のためのメムチン官能化金ナノギャップ素子に対する小さな印加バイアス下での電位変化,電荷分布,電圧降下,バンドラインアップ,および透過スペクトルの発展の影響を調べた。著者らは,電極と核酸塩基によって導入された電位摂動と電荷分布を別々に研究した。それは,分子破壊接合を通しての電位プロファイルの発展と透過スペクトルへの影響を理解するのに役立つ。電極の存在は,素子のエネルギー準位とバンド線を変えることが分かった。また,分子状態における接触および核酸塩基修飾電荷分布を理解するために,局所状態密度を調べた。種々の印加電圧でのHOMO透過ピークに対する電子波動関数も調べ,透過ピークの発展の背後にある物理を理解した。電位降下と1Vにおける電荷分布を拡張分子領域について解析し,電位降下はほぼ均一であることが分かった。シトシンとアデニンの両核酸塩基に対する電流電圧(I-V)と微分コンダクタンス特性は,素子が1Vの最大バイアスまで正常に動作することを示した。この電圧を超えると,共鳴ピークは非常に広くなり,それらは透過ピークが弱くなるに加えて互いに重なり始める。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電圧 ,  エネルギー準位 ,  電流 ,  *電荷分布 ,  バイアス ,  共鳴 ,  官能化 ,  *電位 ,  *接合 ,  窒素複素環化合物 ,  ウレア化合物
準シソーラス用語： 局所状態密度 ,  印加電圧 ,  ナノギャップ ,  *透過スペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電池一般  (YB04010O) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

物質索引 (2件)： アデニン ,  シトシン

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子 ,  破断 ,  電位 ,  電荷分布 ,  電圧降下 ,  透過スペクトル ,  研究