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J-GLOBAL ID:201902217544009021   整理番号:19A2367024

金属基板上の酸化物薄膜の局所仕事関数測定【JST・京大機械翻訳】

Local Work Function Measurements of Thin Oxide Films on Metal Substrates
著者 (9件):
資料名:
巻: 123  号: 29  ページ: 17823-17828  発行年: 2019年 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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金属基板上に担持された酸化薄膜の電子的性質は担持モデル触媒の基本的な問題である。走査トンネル顕微鏡(STM)を用いて,測定したトンネル電流対チップ-試料距離(I-z)曲線による局所情報を得ることができた。薄膜の双極子モーメントに加えて,酸化膜と金属基板間の電荷移動も決定できる。ここでは,CeO_2/Pt-(111)およびCu_2O/Cu-(111)モデル系の局所仕事関数を,I-z分光マッピングを用いて測定した。実験結果は,金属基板に対するものと異なり,この方法による支持された薄い酸化物層の仕事関数測定は印加バイアス電圧に強く依存することを示した。しかし,低バイアスでのみ,非常に信頼できる仕事関数を得ることができる。一つの単層CeO_2と裸のPt(111)基板間の仕事関数変化は-1.8eVであった。詳細な解析は,より高いバイアス電圧において,局所仕事関数測定が,薄い酸化物膜の電子バンド構造により激しく摂動されることを示した。原子分解能を用いて,バルク金属基板によって支持された薄い酸化物層の局所仕事関数をSTM I-zスペクトルによって正確に決定することができ,それは薄膜の表面電子特性の探査において非常に重要である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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電子放出一般  ,  有機化合物の薄膜  ,  固-固界面 
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