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J-GLOBAL ID:201902217544429229   整理番号:19A0891414

BiS2系層状超伝導体の電子構造と超伝導ギャップ構造

Electronic Structure and Superconducting Gap Structure in BiS2-based Layered Superconductors
著者 (6件):
資料名:
巻: 88  号:ページ: 041008.1-041008.13  発行年: 2019年04月15日 
JST資料番号: G0509A  ISSN: 0031-9015  CODEN: JUPSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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BiS2系層状超伝導体は,ビスマス6p軌道の比較的大きなスピン-軌道結合,非調和フォノンによる強い結合性,及び異方性超伝導ギャップ構造を示すいくつかの証拠があるため,相当な興味を引き付けている。研究の初期段階では,従来型の電子-フォノン機構と非従来型の機構両方が超伝導ペアリング機構として調べられた。大部分の実験結果は,電子-フォノン相互作用により駆動される完全にギャップが開いた強結合s波状態によりうまく説明できる。それにもかかわらず,最近の角度分解光電子放出の測定結果は,超伝導ギャップの符号が変化する可能性を示している。さらに,同位体効果が存在しないことが報告されている。これらの最近の発見は,従来型のs波ペアリング状態とは食い違い,むしろ,非従来型のペアリング状態を暗示する。これは,ペアリングの接着剤も不明のままであることを意味する。この総説では,これらの超伝導体の結晶構造,電子バンド構造,フォノン特性,及び超伝導ギャップ構造/ペアリング機構に対する候補の概観を示した。また,純粋に魅力的な相互作用に駆動されるノードギャップ構造の可能性も議論した。(翻訳著者抄録)
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