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J-GLOBAL ID：201902217663342954   整理番号：19A2501667

自立GaN基板上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにおけるバックバリア効果の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates

著者 (12件)： Liu Xinke (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130033, People’s Republic of China) ,  Wang Hao-Yu (Department of Electronics Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, 333, Taiwan) ,  Chiu Hsien-Chin (Department of Electronics Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, 333, Taiwan) ,  Chiu Hsien-Chin (Departments of Radiation Oncology, Chang Gung Memorial Hospital, Taoyuan, 333, Taiwan) ,  Chiu Hsien-Chin (The College of Engineering, Ming Chi University of Technology, Taishan, 243, Taiwan) ,  Chen Yuxuan (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130033, People’s Republic of China) ,  Li Dabing (State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130033, People’s Republic of China) ,  Huang Chong-Rong (Department of Electronics Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, 333, Taiwan) ,  Kao Hsuan-Ling (Department of Electronics Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, 333, Taiwan) ,  Kao Hsuan-Ling (The College of Engineering, Ming Chi University of Technology, Taishan, 243, Taiwan) ,  Kuo Hao-Chung (Photonic and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Huang Chen Sung-Wen (Photonic and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, 300, Taiwan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 814  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,自立GaNウエハを用いたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)に及ぼすAlGaNバックバリアの効果を調べた。バックバリア構造の導入により,バッファ(HVPE成長自立GaN表面の固有の窒素空格子点とGaO_x化合物)の下の漏れ経路は,伝導帯を上げることにより抑制できる。SiCウエハ上のAlGaN/GaN HEMTと比較して,自立GaNウエハ上のAlGaN/GaN HEMTは,高いドレイン電流(700mA/mm),改善された相互コンダクタンス(143mS/mm),低電流崩壊(12%),高電流利得カットオフ周波数(13GHz),および最大安定利得カットオフ周波数(24GHz)を示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  利得 ,  *HEMT ,  遮断周波数 ,  相互コンダクタンス ,  *窒化ガリウム ,  電流 ,  伝導バンド
準シソーラス用語： 電流利得 ,  ドレイン電流 ,  窒素空格子点 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN上のGaN ,  マイクロ波 ,  HEMT ,  バックバリア ,  Raman

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自立 ,  GaN ,  AlGaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  バック ,  バリア ,  解析