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J-GLOBAL ID:201902218396762032   整理番号:19A0660747

C_60/グラフェンヘテロ構造における分子配列と電荷移動【JST・京大機械翻訳】

Molecular Arrangement and Charge Transfer in C60/Graphene Heterostructures
著者 (35件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 4686-4693  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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異種材料間の界面での電荷移動はエレクトロニクスと光起電力の心臓にある。ここでは,六方晶窒化ホウ素のような支持基板の有無にかかわらず,グラフェン上に堆積したC_60の界面領域における分子配向,電子構造,および局所電荷移動を研究した。van der Waals相互作用を持つab initio密度汎関数理論を用い,高分解能透過型電子顕微鏡と電子輸送を用いて界面デバイスを実験的に特性化した。C_60とグラフェンの間の電荷移動は,基礎となる支持基板の性質およびC_60の結晶性と局所配向に敏感であることが分かった。室温でも,グラフェンに結合したC_60分子は配向的に位置に固定されている。高い電子および正孔移動度は,結晶性C_60被覆層を有するグラフェンにおいて保存され,それは有機高移動度電界効果デバイスに対する分岐を有する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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物理的手法を用いた吸着の研究  ,  炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (4件):
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