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J-GLOBAL ID：201902219449847385   整理番号：19A1409419

優れたBドープSiCナノワイヤ可とう性電界放出体:超低ターンオン場と厳しい環境に対するロバスト安定性【JST・京大機械翻訳】

Superior B-Doped SiC Nanowire Flexible Field Emitters: Ultra-Low Turn-On Fields and Robust Stabilities against Harsh Environments

著者 (7件)： Chen Shanliang (Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China) ,  Shang Minghui (Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China) ,  Wang Lin (Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China) ,  Yang Zuobao (Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China) ,  Gao Fengmei (Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China) ,  Zheng Jinju (Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China) ,  Yang Weiyou (Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 40  ページ： 35178-35190  発行年： 2017年10月11日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子装置における電界エミッタの実装を推進するための2つの重要な因子として,ブースト安定性と共に低ターンオン電界を認識した。本研究では,ワイヤ体とBドーパントを囲むコーナーだけでなく,鋭いエッジの数を持つ単結晶3C-SiCナノワイヤに基づく優れたフレキシブル電界エミッタを調べた。構成された電界エミッタは,異なる曲げサイクル,種々の曲げ形態,および高温環境下で過酷な作動条件を受けると,0.94~0.68V/μmの超低ターンオン電界(E_to)と±1.0~3.4%の電流放出変動を伴う例外的な電界放出(FE)挙動を示した。エッジと共に鋭いエッジは電子放出サイトを著しく増加させることができ,組み込まれたBドーパントはFermi準位に近いより局在化された状態をもたらすことができた。それは,低いE_to,大きな場増強因子,およびロバストな電流放出安定性を有するSiCナノワイヤエミッタを与えた。現在のBドープSiCナノワイヤは理想的な柔軟なエミッタに対するすべての必須要件を満たすことができ,それは柔軟な電子ユニットに適用されるそれらの有望な展望を示している。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ロバスト性 ,  *電界放出 ,  *ターンオン ,  *炭化ケイ素 ,  ドーパント ,  電流 ,  *柔軟性 ,  *金属線 ,  *ドーピング ,  単結晶 ,  *ナノワイヤ ,  Fermi準位
準シソーラス用語： 局在化 ,  ターンオン電界 ,  電界エミッタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiCナノワイヤ ,  Bドーピング ,  フレキシブルデバイス ,  フィールドエミッタ ,  電界放出特性

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドープ ,  SiC ,  ナノワイヤ ,  可とう性 ,  電界放出 ,  ターンオン ,  環境 ,  ロバスト安定性