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J-GLOBAL ID：201902219503531906   整理番号：19A0037034

ゲルマニウムNFinFETにおけるフォノン制限電子移動度:フィン方向依存性【JST・京大機械翻訳】

Phonon Limited Electron Mobility in Germanium nFinFETs: Fin Direction Dependence

著者 (5件)： Jing Ying (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Han Genquan (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Liu Yan (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Jincheng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICSICT  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (001),(110),(111)配向ウエハ内に回転するフィンを持つゲルマニウム(Ge)フィン電界効果トランジスタ(FinFET)におけるフォノン制限電子移動度を調べた。結合Schroedinger-Poisson方程式を自己無撞着に解き,二次元電子ガスの電子構造を計算し,FermiのGolden則を用いてフォノン散乱率を計算した。谷内音響フォノン散乱がGe nFinFETの電子移動度を制限する主要な機構であると結論した。フォノン制限電子運動性は,ウエハ配向,チャネル方向,フィン厚さW_フィン,および反転電荷密度N_invによって影響される。固定されたW_フィンを用いると,〈110〉,〈110〉,および(001),(110),および(111)配向ウエハ内の,それぞれ,(001),(110),および(111)配向ウエハのフィン方向は,電子移動度の最大値を提供する。移動度に対する最適化W_フィンもウエハ配向とチャネル方向に依存した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  電子構造 ,  音響 ,  チャネル ,  *フォノン ,  二次元電子ガス ,  *移動度 ,  *フィン
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  フォノン散乱 ,  方向依存性 ,  *電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲルマニウム ,  フォノン ,  制限 ,  電子移動度 ,  フィン ,  方向依存性