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J-GLOBAL ID：201902219878679675   整理番号：19A1627293

正孔輸送層の修飾を用いたCH_3NH_3PbI_3ペロブスカイト太陽電池における界面欠陥不動態化【JST・京大機械翻訳】

Interfacial defect passivation in CH₃NH₃PbI₃ perovskite solar cells using modifying of hole transport layer

著者 (5件)： Alidaei Maryam (Faculty of Physics, Shahrood University of Technology, Shahrood, Iran) ,  Izadifard Morteza (Faculty of Physics, Shahrood University of Technology, Shahrood, Iran) ,  Ghazi Mohammad Ebrahim (Faculty of Physics, Shahrood University of Technology, Shahrood, Iran) ,  Roghabadi Farzaneh Arabpour (Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran) ,  Ahmadi Vahid (Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 30  号： 7  ページ： 6936-6946  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイト(PSK)太陽電池において,PSKと電荷キャリアの界面間の選択的接触は,電力変換効率(PCE)において重要な役割を有する。デバイス界面における活性欠陥サイトは,デバイスの動作を妨げることができる電荷とイオンの蓄積を制御する。本研究では,メソ多孔性PSK太陽電池を作製し,重合体HTLとPSK層の間の界面欠陥をHTLを修飾することにより中和した。メソ多孔性ペロブスカイト素子においてP3HT HTLの代わりにポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT):フェニル-C61-酪酸メチルエステル(PCBM)HTLを置換することにより31%PCE増強が達成された。達成されたPCEの改善は,光学的および電気化学的インピーダンス分析によって研究されたPSKとHTMの間の界面に強く依存する。P3HT HTLへのPCBMの導入は,PSK層の不均一性とピンホールの不適切な存在に起因する界面欠陥の挑戦を克服した。このアーキテクチャはシャント漏れ経路を低減し,入射光子収穫を強化し,PCEの10から13.14%への増強をもたらした。P3HT:PCBMのこれらの望ましい効果は,再結合抵抗の増強と界面での電荷蓄積の減少によって確認された。さらに,界面改質による欠陥不動態化はPSK素子のヒステリシス挙動を低減した。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヒステリシス ,  *太陽電池 ,  帯電 ,  *界面 ,  *不動態化 ,  イオン ,  計算機アーキテクチャ ,  インピーダンス ,  再結合 ,  重合体 ,  ピンホール
準シソーラス用語： PCBM ,  電力変換効率 ,  電荷キャリア ,  *界面欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 正孔輸送層 ,  修飾 ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  界面欠陥 ,  不動態化