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J-GLOBAL ID：201902219948312632   整理番号：19A0010949

MOSキャパシタの静電容量-電圧プロファイリング:学部学生実験室のためのハンドオン半導体試験の事例研究【JST・京大機械翻訳】

Capacitance-voltage profiling of MOS capacitors: A case study of hands-on semiconductor testing for an undergraduate laboratory

著者 (5件)： Joy J. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, MH 400076, India) ,  Date M. P. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, MH 400076, India) ,  Arora B. M. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, MH 400076, India) ,  Narasimhan K. L. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, MH 400076, India) ,  Tallur S. (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, MH 400076, India)
資料名： American Journal of Physics  (American Journal of Physics)
巻： 86  号： 10  ページ： 787-796  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0379A  ISSN： 0002-9505  CODEN： AJPIAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大規模な学部実験室クラスに対する注意は,多くの大学研究所の処分において,低コスト試験装置を用いて,ロバストで,低保守で,容易にセットアップするための実験を必要とする。半導体集積回路チップを用いて,ダイオードやトランジスタなどの基本的な半導体デバイスの機能と応用を説明した。このような方法はデバイス概念の説明に対して正当性を持つが,パッケージはデバイスの物理と製造を抽象化し,デバイス工学に向けて「ブラックボックス」のメンタル性を促進する。著者らは,金属酸化物半導体キャパシタ(MOSCAP)デバイスを設計し,大学クリーンルームで製作し,基本的な容量-電圧プロファイル測定を行うために学生に提供した,新しい学部のデバイス実験室実験を提案し,実装した。実験を同時に行うために100人以上の学生を可能にするために,著者らは,デバイスと電気的接触を作るために,スプリング負荷ポゴピンを有するプローブステーションとして役立つミニチュア試験治具を製作した。簡単なオペアンプに基づく回路を用いて,学生はこの実験を用いて基板ドーピング密度やフラットバンド電圧のようなデバイスパラメータをうまく抽出でき,MOSCAPの動作の異なるモードを可視化できる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  プローブ ,  保全 ,  可視化 ,  クリーンルーム ,  *半導体 ,  トランジスタ ,  演算増幅器 ,  *電圧 ,  *事例研究 ,  *静電容量 ,  ドーピング ,  *コンデンサ ,  ダイオード
準シソーラス用語： *プロファイリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOSキャパシタ ,  静電容量 ,  プロファイリング ,  学部 ,  学生実験 ,  試験 ,  研究