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J-GLOBAL ID：201902219969593291   整理番号：19A0039259

改善された光電気化学性能に向けた原子的に薄いZn_10In_16S_34ナノシート配列におけるOドーピングと金属空孔の同時操作【JST・京大機械翻訳】

Simultaneous Manipulation of O-Doping and Metal Vacancy in Atomically Thin Zn₁₀In₁₆S₃₄ Nanosheet Arrays toward Improved Photoelectrochemical Performance

著者 (6件)： Meng Linxing (School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Center for Energy Conversion Materials & Physics (CECMP), Soochow University, Suzhou, 215006, P. R. China) ,  Rao Dewei (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, P. R. China) ,  Tian Wei (School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Center for Energy Conversion Materials & Physics (CECMP), Soochow University, Suzhou, 215006, P. R. China) ,  Cao Fengren (School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Center for Energy Conversion Materials & Physics (CECMP), Soochow University, Suzhou, 215006, P. R. China) ,  Yan Xiaohong (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, P. R. China) ,  Li Liang (School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Center for Energy Conversion Materials & Physics (CECMP), Soochow University, Suzhou, 215006, P. R. China)
資料名： Angewandte Chemie  (Angewandte Chemie)
巻： 130  号： 51  ページ： 17124-17129  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0396A  ISSN： 0044-8249  CODEN： ANCEAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素ドープ酸化スズガラス(FTO)基板上のZn_10In_16S_34原子的に薄いナノシート配列の容易な水熱合成を示した。空気,O-ドーピングおよびZnにおける熱処理を制御することを通して,調整した相,モルフォロジー,化学組成およびエネルギーレベル分布を有するZn_10In_16S_34ナノシートにおいて,S空格子点を同時に導入した。表面欠陥状態は,原子層堆積技術によって超薄Al_2O_3膜を堆積することによって不動態化される。Zn_10In_16S_34光アノードの性能は,4.7倍高い電流密度と減少した開始電位で大幅に改善された。実験結果と密度汎関数理論計算は,この増強が高速光励起電子-正孔対分離,表面移動インピーダンスの減少,キャリア寿命の延長,および酸素発生反応の過電圧の減少に起因することを示した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基板 ,  *ナノシート ,  ガラス ,  エネルギー準位 ,  *ドーピング ,  水熱合成 ,  過電圧 ,  *亜鉛 ,  インピーダンス ,  モルフォロジー ,  *光電気化学 ,  アルミニウム ,  不動態化 ,  化学組成 ,  キャリア寿命 ,  電位

著者キーワード (5件)： Atomragenabeidung ,  Dotierung ,  Fehlstellen ,  フォトアノデン ,  Zn10In16S34

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光電気化学 ,  原子 ,  ドーピング ,  空孔