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J-GLOBAL ID：201902220058962121   整理番号：19A1778923

負の微分移動度を示す半導体の速度場特性に対する経験的モデル【JST・京大機械翻訳】

Empirical model for the velocity-field characteristics of semiconductors exhibiting negative differential mobility

著者 (4件)： Siddiqua Poppy (The University of British Columbia, School of Engineering, 3333 University Way, Kelowna, British Columbia, V1V 1V7, Canada) ,  Wang Yana (The University of British Columbia, School of Engineering, 3333 University Way, Kelowna, British Columbia, V1V 1V7, Canada) ,  Shur Michael S. (Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, 12180-3590, USA) ,  O’Leary Stephen K. (The University of British Columbia, School of Engineering, 3333 University Way, Kelowna, British Columbia, V1V 1V7, Canada)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 299  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負の微分移動度のピークと領域を示す半導体の速度場特性に対する経験的モデルを提案した。このモデルにおける調整可能なパラメータは,試行錯誤法の使用により解決できるよりも,速度場特性自体の形から直接決定できることを示した。次に,このモデルを,興味深い古典的化合物半導体,すなわち,ヒ化ガリウムに適用した。モンテカルロ電子輸送シミュレーションを用いて得られた結果との直接比較を通して,このモデルの強度と弱点を批判的に評価した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *半導体 ,  モンテカルロ法 ,  ヒ化ガリウム ,  *移動度 ,  *微分
準シソーラス用語： 経験モデル ,  *速度場 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  磁性理論  (BM06020X) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 微分 ,  移動度 ,  速度場 ,  経験的モデル