文献

J-GLOBAL ID：201902220493796970   整理番号：19A1414728

SnO_2終端を有する原子的に平坦なBaSnO_3(001)基板の実現【JST・京大機械翻訳】

Realization of an atomically flat BaSnO₃(001) substrate with SnO₂ termination

著者 (8件)： Lee Woong-Jhae (Center for Novel States of Complex Materials Research, Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Lee Hwangho (Max Planck POSTECH Center for Complex Phase Materials and Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, South Korea) ,  Ko Kyung-Tae (Max Planck POSTECH Center for Complex Phase Materials and Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, South Korea) ,  Kang Jeonghun (Center for Novel States of Complex Materials Research, Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Kim Hyung Joon (Center for Novel States of Complex Materials Research, Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Lee Takhee (Department of Physics and Astronomy, Institute of Applied Physics, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Park Jae-Hoon (Max Planck POSTECH Center for Complex Phase Materials and Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, South Korea) ,  Kim Kee Hoon (Center for Novel States of Complex Materials Research, Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 23  ページ： 231604-231604-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大部分の単層SnO_2によって終端された原子的に平坦なテラスを,脱イオン水浸出と熱アニーリングによって約3×3mm2の横方向寸法を有するBaSnO_3(001)基板の表面上に実現した。表面トポグラフィー研究により,アニーリング時間と温度を制御することにより,最上部表面は化学的に混合した終端から原子的に平坦なテラスに変化し,一つの単位セルのステップ高さをもつことを明らかにした。ステップバンチングおよびキンクステップも面外および面内ミスカット角に敏感に依存する。電子放出角度の変化によるBa3d_5/2とSn3d_5/2状態近くのX線光電子放出分光法は,BaSnO_3-δ(001)表面の最上部原子層がBaOよりもむしろSnO_2から成ることを確認した。本研究の知見は,原子的に平坦なBaSnO_3(001)基板の調製を容易にし,BaSnO_3(001)と他の酸化物の間の界面における可能な二次元電子ガスの探索の研究に役立つであろう。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *焼なまし ,  キンク ,  酸化物 ,  電子放出 ,  X線 ,  単一層 ,  浸出 ,  光電子放出 ,  界面 ,  二次元電子ガス ,  脱イオン水
準シソーラス用語： 原子層 ,  ステップバンチング ,  熱アニーリング ,  テラス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 終端 ,  原子