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J-GLOBAL ID：201902220777427367   整理番号：19A0659088

SbとBiを共ドープしたGeTeにおける低熱伝導率と高熱電性能:バンド収束とナノ構造化の相補効果【JST・京大機械翻訳】

Low Thermal Conductivity and High Thermoelectric Performance in Sb and Bi Codoped GeTe: Complementary Effect of Band Convergence and Nanostructuring

著者 (5件)： Perumal Suresh (New Chemistry Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research (JNCASR), India) ,  Bellare Pavithra (Materials Research Centre, Indian Institute of Science, India) ,  Shenoy U. Sandhya (Theoretical Sciences Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research (JNCASR), India) ,  Waghmare Umesh V. (Theoretical Sciences Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research (JNCASR), India) ,  Biswas Kanishka (New Chemistry Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research (JNCASR), India)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 24  ページ： 10426-10435  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge_1-x-yBi_xSb_yTe試料において,GeTeにおけるSbおよびBi共ドーピングの相補的および有益な効果は,高い熱電性能指数zT,725Kにおいて1.8を発生させることを示した。GeTeにおけるSbとBiの共ドーピングは,密度汎関数理論(DFT)計算によって支持されるように,Seebeck係数を増強する価電子帯の収束を容易にする。さらに,GeTeにおけるSbとBiの共ドーピングは菱面体歪を放出し,構造において立方晶になる傾向を増加させ,最終的に価電子帯縮退を強化する。同時に,BiはGeTeマトリックス中でサイズ約5~20nmのナノ析出物を形成し,Sbドーピングは固溶体点欠陥を大きく増加させ,それは低から中波長フォノンを全体的に散乱し,300~750K範囲で0.5W/mKまでの格子熱伝導率の減少をもたらした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 立方晶系 ,  *アンチモン ,  固溶体 ,  *熱伝導率 ,  価電子バンド ,  *ナノ構造 ,  点欠陥 ,  縮退 ,  *ビスマス ,  *ドーピング ,  密度汎関数法 ,  フォノン
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  共ドーピング ,  *GeTe , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (9件)： Sb ,  Bi ,  ドープ ,  GeTe ,  熱伝導率 ,  高熱 ,  バンド ,  収束 ,  構造化