文献
J-GLOBAL ID:201902221048619252   整理番号:19A0128888

JT-60SA負イオン源におけるプラズマグリッドへのセシウム堆積の温度依存性の評価【JST・京大機械翻訳】

Evaluation of the temperature dependence of the cesium deposition on the plasma grid in the JT-60SA negative ion source
著者 (7件):
資料名:
巻: 2052  号:ページ: 040008-040008-9  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0071C  ISSN: 0094-243X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
プラズマグリッド(PG)におけるセシウム(Cs)の堆積を評価し,JT-60SA負イオン源における100s長パルス動作における負イオン電流の漸進的劣化の起源を調べるために,ソースにおけるCs挙動をモデル化した。これを行うために,広い温度範囲でのCs吸着/脱着係数を,表面イオン化検出器と水晶微量天秤により実験的に測定した。結果として,吸着と脱着の両方は,室温から100°Cまでの温度範囲で劇的に変化した。これらのデータに基づいて,モデルはチャンバー壁とPGにおけるCs質量の量を計算した。計算結果は,操作において,チャンバー壁(T_壁)における温度の増加が,それにおける大量のCsの蒸発を引き起こすことを示した。これはPG中のCsの蓄積と負イオン生成のわずかな劣化をもたらす。したがって,PG中のCs単分子層の厚さを維持するためには,一定の温度操作が必要であり,そして,T_壁は,チャンバー壁におけるCsの蒸発を抑制するために,60°C未満であることが望まれる。このモデルによると,低いCs消費でそれを達成するために温度の多くの組合せがあることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
核融合装置  ,  プラズマ装置 

前のページに戻る