文献

J-GLOBAL ID：201902221099725863   整理番号：19A1888207

Cu/SiO_2界面における混合酸化物形成の証拠【JST・京大機械翻訳】

Evidence of Mixed Oxide Formation on the Cu/SiO₂ Interface

著者 (2件)： Benito Noelia (Departamento de Fisica, Facultad de Ciencias Fisicas y Matematicas, Universidad de Chile, Chile) ,  Flores Marcos (Departamento de Fisica, Facultad de Ciencias Fisicas y Matematicas, Universidad de Chile, Chile)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 34  ページ： 18771-18778  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線光電子分光法と角度分解X線光電子分光法による界面形成を研究するために,SiO_2上へのCuの堆積を電子ビーム蒸着によって行った。Cu2p_3/2およびSi 2pバンドの結合エネルギーのシフトおよびCu LMM運動エネルギーのシフトが成長中に観察された。これらの変化は,界面におけるCuの配位数の変化またはM-O-M′架橋結合の形成を示している。さらに,Cu+とCu2+(四面体と八面体)の異なる配位状態が検出された。異なる配位数とは別に,Cu/SiO_2界面形成中に新しい化学状態が現れた。この新しい寄与,Cux+は混合酸化物Cu-O-Siの形成に起因する。さらに,Cu/SiO_2界面の成長の2つの異なる段階が観察された。最初のものは,金属Cuが検出されず,酸化銅の混合物がSiO_2基板上に測定され,第二のものは表面上に金属Cuが現れ,多層Cu0/Cux+/Cu酸化物/SiO_2が推定できる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 多層 ,  *銅 ,  基板 ,  配位数 ,  運動エネルギー ,  *界面 ,  酸化銅 ,  X線光電子スペクトル ,  四面体 ,  X線光電子分光法 ,  電子ビーム蒸着 ,  八面体 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： 化学状態 ,  *混合酸化物 ,  *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu ,  界面 ,  混合酸化物 ,  証拠