文献

J-GLOBAL ID：201902221143657423   整理番号：19A0491213

半導体エピタキシャル成長のための計算材料科学における最近の進歩【JST・京大機械翻訳】

Recent Progress in Computational Materials Science for Semiconductor Epitaxial Growth

著者 (2件)： Ito Tomonori (Department of Physics Engineering, Mie University, 1577, Kurima-Machiya, Tsu 514-8507, Japan) ,  Akiyama Toru (Department of Physics Engineering, Mie University, 1577, Kurima-Machiya, Tsu 514-8507, Japan)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 7  号： 2  ページ： 46  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体エピタキシャル成長の分野における計算材料科学の最近の進歩をレビューした。信頼できる予測は,温度とビームの等価圧力を組み込んだ著者らのab initioベースの化学ポテンシャルアプローチを用いて,現実的な成長条件での表面再構成,吸着-脱着挙動,および成長過程などの広範囲の問題に対して現在行うことができる。(111)Aおよび(001)のような成長方位に依存する歪緩和および結果としての成長モードを含むGaAs上のInAsのヘテロエピタキシャル成長中の新しい挙動を調べることにより,応用を検討した。さらに,ナノワイヤ形成を選択領域成長中のInPナノワイヤファセットの吸着-脱着挙動についても例示した。これらの問題の概観を提供し,実験結果を比較することにより理論計算手法の能力を説明するための最新の達成を示した。これらの成功した応用は,エピタキシャル成長半導体材料の作製における計算材料設計の将来展望をもたらす。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ファセット ,  脱着 ,  化学ポテンシャル ,  ヒ化インジウム ,  吸着 ,  表面再構成 ,  *エピタクシー ,  リン化インジウム ,  ナノワイヤ ,  *半導体 ,  半導体材料 ,  材料設計 ,  計算機シミュレーション ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： 歪緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (9件)： コンピュータシミュレーション ,  半導体エピタキシャル成長 ,  歪緩和 ,  成長モード ,  InAs/GaAs ,  ナノワイヤ形成 ,  ポリタイプ ,  InPナノワイヤ ,  選択領域成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (130件)：

• Däweritz, L.; Hey, R. Reconstruction and defect structure of vicinal GaAs(001) and AlxGa1-xAs surfaces during MBE growth. Surf. Sci. 1990, 236, 15-22.
• Kaxiras, E.; Bar-Yam, Y.; Joannopoulos, J.D.; Pandey, K.C. Ab initio theory of polar semiconductor surfaces. I. Methodology and the (2 × 2) reconstructions of GaAs(111). Phys. Rev. B 1987, 35, 9625-9635.
• Qian, G.X.; Martin, R.M.; Chadi, D.J. Stoichiometry and surface reconstruction: An ab initio study of GaAs(001) surfaces. Phys. Rev. Lett. 1988, 60, 1962-1965.
• Northrup, J.E. Structure of Si(100)H: Dependence on the H chemical potential. Phys. Rev. B 1991, 44, 1419-1422.
• Kangawa, Y.; Ito, T.; Taguchi, A.; Shiraishi, K.; Ohachi, T. A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces. Surf. Sci. 2001, 493, 178-181.

タイトルに関連する用語 (2件)： エピタキシャル成長 ,  計算材料科学