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J-GLOBAL ID：201902221251800125   整理番号：19A1200208

二つの堆積法を用いたWO_3膜の反応性スパッタ蒸着【JST・京大機械翻訳】

Reactive sputter deposition of WO₃ films by using two deposition methods

著者 (7件)： Yasuda Yoji (Tokyo Polytechnic University, 1853 Iiyama, Atsugi, Kanagawa 243-0297, Japan) ,  Hoshi Yoichi (Tokyo Polytechnic University, 1853 Iiyama, Atsugi, Kanagawa 243-0297, Japan) ,  Kobayashi Shin-ichi (Tokyo Polytechnic University, 1853 Iiyama, Atsugi, Kanagawa 243-0297, Japan) ,  Uchida Takayuki (Tokyo Polytechnic University, 1853 Iiyama, Atsugi, Kanagawa 243-0297, Japan) ,  Sawada Yutaka (Tokyo Polytechnic University, 1853 Iiyama, Atsugi, Kanagawa 243-0297, Japan) ,  Wang Meihan (School of Mechanical Engineering, Shenyang University, Shenyang 110044, China) ,  Lei Hao (Surface Engineering of Materials Division, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 37  号： 3  ページ： 031514-031514-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タングステン-三酸化物(WO_3)膜を,二つのタイプのスパッタリングシステムを用いて蒸着した:平面マグネトロンスパッタリングシステムとファfacターゲットスパッタリング(FTS)システム。結果として得られた膜の構造とガスクロミック特性を比較し,スパッタリング中の基板上の高エネルギー負酸素イオンの発生が著しく抑制されるので,FTSを用いると膜の均一性とガスクロミック特性が著しく改善されることが分かった。著者らは,WO_3膜の堆積速度が,FTSシステムにおける500から800Vへのスパッタリング電圧の増加により数百倍に増加し,100nm/分以上の堆積速度が容易に達成されることを確認した。WO_3膜の蒸着速度は,一定のスパッタリング電流の条件下で,スパッタリング電圧に強く依存することを明らかにした。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化物 ,  基板 ,  *反応性 ,  *スパッタ蒸着 ,  堆積速度 ,  電流 ,  スパッタリング ,  電圧 ,  蒸着速度 ,  酸素イオン
準シソーラス用語： 高エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 堆積 ,  反応性 ,  スパッタ蒸着