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J-GLOBAL ID：201902221309571497   整理番号：19A2857131

電圧オーバシュート下のHBM保護におけるゲート結合シリコン制御整流器の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of gate-coupled silicon controlled rectifier on HBM protection under voltage overshoot

著者 (4件)： Madhusoodhanan Syam (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR, 72701, USA) ,  Sankaralingam Rajkumar (Texas Instruments, Inc, Dallas, TX, 75243, USA) ,  Boselli Gianluca (Texas Instruments, Inc, Dallas, TX, 75243, USA) ,  Chen Zhong (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR, 72701, USA)
資料名： Journal of Electrostatics  (Journal of Electrostatics)
巻： 102  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0917A  ISSN： 0304-3886  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電圧オーバシュートによるGCSCR ESDモジュールの初期故障に関する系統的研究を行った。電圧オーバーシュートを有するHBM ESD構造の設計に関する準静的TLPデータ単独を考慮することの不適切性を,生産レベルESDモジュールによって実証した。異なるESDパラメータをもつGCSCR構造を作製し,HBM事象における電圧オーバシュートの挙動を解析するために試験した。信頼できるHBM ESD保護構造を達成するためのいくつかの設計考察を示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： オーバシュート ,  サイリスタ ,  初期故障 ,  *電圧

著者キーワード (5件)： DENMOS ,  ESD ,  HBM ,  SCR ,  TLP

分類 (2件)： 静電気学,静磁気学  (BD01010C) ,  静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (5件)： オーバシュート ,  HBM ,  ゲート ,  シリコン制御整流器 ,  解析