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J-GLOBAL ID：201902221464688033   整理番号：19A1413965

グラフェンの熱起電力に対する欠陥誘起キャリア散乱の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of defect-induced carrier scattering on the thermoelectric power of graphene

著者 (6件)： Anno Yuki (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuencho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Takeuchi Masato (Department of Applied Chemistry, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuencho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Matsuoka Masaya (Department of Applied Chemistry, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuencho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Takei Kuniharu (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuencho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Akita Seiji (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuencho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Arie Takayuki (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuencho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 26  ページ： 263501-263501-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの熱電特性は欠陥密度に強く関係し,これらを用いてキャリア散乱を調べることができる。本研究では,酸素プラズマ処理を用いて欠陥密度を制御した。酸素プラズマはグラフェンに構造欠陥を導入し,最初に,XPS分析により示されるように,さらなる曝露により空孔型欠陥に変換するsp3欠陥を導入し,これらの遷移はグラフェンの電気的および熱電的性質の両方に大きな変化を引き起こす。本研究では,グラフェンの熱起電力に対するRaman分光法により解析した欠陥密度と種の両方の影響を評価し,最大熱電能が欠陥密度の増加と共に減少することを見出した。また,Ioffeの半古典的近似から,低欠陥密度ではフォノンがキャリア散乱の支配的な源であるが,高欠陥密度では,散乱は主に荷電不純物により引き起こされ,これはsp3型から空格子点への欠陥ポピュレーションの変化に対応する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  *熱起電力 ,  フォノン ,  Raman分光法 ,  *グラフェン ,  効果 ,  半古典的方法 ,  欠陥密度 ,  *キャリア散乱 ,  空格子点
準シソーラス用語： 荷電不純物 ,  熱電能 ,  構造欠陥 ,  酸素プラズマ ,  熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  熱起電力 ,  欠陥 ,  誘起 ,  キャリア散乱