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J-GLOBAL ID：201902221951225315   整理番号：19A0016612

Mg_2Si_0.53Ge_0.47単結晶とMg_2Si_0.53Ge_0.47pn接合ダイオードの作製といくつかの特性【JST・京大機械翻訳】

Preparation and some properties of Mg₂Si_0.53Ge_0.47 single crystal and Mg₂Si_0.53Ge_0.47 pn-junction diode

著者 (6件)： El-Amir Ahmed A. M. (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Ohsawa Takeo (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Matsushita Yoshitaka (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Wada Yoshiki (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Shimamura Kiyoshi (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Ohashi Naoki (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 11  ページ： 115005-115005-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,Mg_2Si_0.53Ge_0.47pn接合フォトダイオードの製造方法論と光応答特性に関する結果を報告した。最初に,垂直Bridgman成長過程でMg_2Si_0.53Ge_0.47単結晶を成長させた。成長した結晶をXRD,LaueおよびHall効果測定により構造的および電気的に特性化した。XRDは,成長した結晶インゴットの単相組成,Mg_2Si_0.53Ge_0.47を明らかにした。明瞭なLaue対称回折パターンは成長した結晶の単結晶性を示した。Hall効果測定はn型伝導と中程度のHall移動度(258cm~2/Vs),電気抵抗率(6.03E-02Ωcm),成長結晶のキャリア密度(4.02E+17cm-3)を明らかにした。このようなキャリア密度はpn接合ダイオードの場合に空乏領域形成を可能にするのに十分低い。その意味で,著者らは,薄いAg層のN-MG_2Si_0.53Ge_0.47基板への熱拡散により,初めてMg_2Si_0.53Ge_0.47pn接合フォトダイオードを作製した。作製したダイオードは明らかな整流挙動を示し,0.95~1.85μmの波長範囲で明瞭なゼロバイアス光応答を示し,その波長領域におけるIR感覚の顕著性を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *接合 ,  フォトダイオード ,  整流 ,  キャリア密度 ,  電気抵抗率 ,  銀 ,  *PN接合 ,  対称性 ,  *結晶 ,  X線回折 ,  *単結晶 ,  *ダイオード ,  キャラクタリゼーション ,  結晶成長 ,  *接合ダイオード

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶 ,  ダイオード ,  作製