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J-GLOBAL ID：201902222319653709   整理番号：19A1964089

Ca_3Ta(Ga,Al)_3Si_2O_14圧電単結晶の結晶構造のAl濃度依存性【JST・京大機械翻訳】

Al concentration dependence of crystal structure for Ca₃Ta(Ga,Al)₃Si₂O₁₄ piezoelectric single crystals

著者 (15件)： Yokota Yuui (New Industry Creation Hatchery Center (NICHe), Tohoku University, 6-6-10, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan) ,  Kudo Tetsuo (Piezo Studio Inc., 6-6-40, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan) ,  Ohashi Yuji (New Industry Creation Hatchery Center (NICHe), Tohoku University, 6-6-10, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan) ,  Ohashi Yuji (Piezo Studio Inc., 6-6-40, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan) ,  Inoue Kenji (Piezo Studio Inc., 6-6-40, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan) ,  Yoshino Masao (Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8577, Japan) ,  Yamaji Akihiro (Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8577, Japan) ,  Kurosawa Shunsuke (New Industry Creation Hatchery Center (NICHe), Tohoku University, 6-6-10, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan) ,  Kamada Kei (New Industry Creation Hatchery Center (NICHe), Tohoku University, 6-6-10, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan) ,  Kamada Kei (Piezo Studio Inc., 6-6-40, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan) ,  Kamada Kei (C&A Corporation, 6-6-40, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan) ,  Yoshikawa Akira (New Industry Creation Hatchery Center (NICHe), Tohoku University, 6-6-10, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan) ,  Yoshikawa Akira (Piezo Studio Inc., 6-6-40, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan) ,  Yoshikawa Akira (Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8577, Japan) ,  Yoshikawa Akira (C&A Corporation, 6-6-40, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8579, Japan)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 277  ページ： 195-200  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ca_3Ta(Ga_1-xAl_x)Si_2O_14(CTGAS)圧電単結晶に対する結晶構造のAl濃度依存性をX線結晶構造解析により調べた。O(2)-Si-O(2)及びSi-O(2)-(Ga,Al)結合角はAl濃度の増加と共に系統的に増加し,Al置換による構造異方性の増加はO(2)-Si-O(2)-(Ga,Al)の平坦化に起因することを示唆した。さらに,(Ga,Al)-O(2),(Ga,Al)-O(3)及びCa-O(1)結合長はAl置換の増加と共に系統的に減少した。酸素配位環境の重心からのSiと(Ga,Al)イオンのカチオンシフトはAl濃度の増加と共に減少した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単結晶 ,  *濃度依存性 ,  *圧電気 ,  *ケイ素 ,  カチオン ,  核間距離 ,  *アルミニウム ,  *結晶構造 ,  重心 ,  結合角
準シソーラス用語： 平坦化 ,  構造異方性 ,  X線結晶構造解析 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 圧電材料 ,  単結晶 ,  Ca_3Ta(Ga_1-xAl_x)_3Si_2O_14 ,  結晶構造 ,  Al置換

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga ,  Al ,  圧電 ,  単結晶 ,  結晶構造 ,  濃度依存性